Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

2ED21844S06JXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI

Power\Power Management ICs\Gate DriversThe Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.

Fall Time	30ns
Output Current	2.5 A
Package Type	DSO-14
Pin Count	14
Supply Voltage	25V
IC Case / Package	SOIC
Задержка Выхода	200нс
Задержка по Входу	600нс
Количество Выводов	14вывод(-ов)
Количество Каналов	1канал(-ов)
Конфигурация Привода	Полумост
Максимальная Рабочая Температура	125°C
Максимальное Напряжение Питания	20В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	10В
Стиль Корпуса Привода	SOIC
Тип переключателя питания	IGBT, MOSFET
Ток истока	2.5А
Ток стока	2.5А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов
Вес, г	0.1431