Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

2N7002,215

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 0,19А; Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Continuous Drain Current	300 mA
Package Type	SOT-23 (TO-236AB)
Maximum Power Dissipation	830 mW
Mounting Type	Surface Mount
Width	1.4mm
Height	1mm
Dimensions	3 x 1.4 x 1mm
Transistor Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Length	3mm
Transistor Configuration	Single
Brand	Nexperia
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Drain Source Resistance	5 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Pin Count	3
Category	Power MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds	31 pF@ 10 V
Channel Type	N
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	300mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	830mW
Rds On - Drain-Source Resistance	5О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.5V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Вес брутто	0.04
Диапазон рабочих температур	-65…+150 °С
Емкость, пФ	50
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±30В
Максимальное напряжение сток-исток, В	60
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	0.3
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	5000
Мощность	постоянная рассеиваемая(Pd)-800 мВт
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	594646/30000
Упаковка	REEL, 3000 шт.