Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

2N7002P,215, 2N7002P/SOT23/TO-236AB

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор N-МОП, полевой, 60В, 280мА, 420мВт, SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	360 mA
Pd - рассеивание мощности	420 mW
Qg - заряд затвора	0.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4 ns
Время спада	5 ns
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	3 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
HTSUS	8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-236AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	360mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	350mW
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.4V @ 250uA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	360 mA
Maximum Drain Source Resistance	1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm