Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BC856BLT1G, Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
The BC856BLT1G is a PNP general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 220…475
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
Тип транзистора | PNP |
Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 65 В |
Ток коллектора Макс. | 100 мА |
Мощность Макс. | 300 мВт |
Коэффициент усиления hFE | 220 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Граничная частота | 100 МГц |
Корпус | SOT-23 |
Вес брутто | 0.03 г. |
Наименование | BC856BLT1G |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | PNP 65V 0.1A 0.225W |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 3000 шт |