Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRF640NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом
Цена по запросу

IRF640NSPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом Полезная информация * MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. 200В
Ток стока макс. 18A
Сопротивление открытого канала 150 мОм
Мощность макс. 150Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 67нКл
Входная емкость 1160пФ
Тип монтажа Surface Mount
Корпус D2Pak (TO-263)
Вес брутто 2.02 г.
Наименование IRF640NSPBF
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт