Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
1EDN7116UXTSA1, Gate Drivers DRIVER IC
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
1EDN7116UXTSA1 is a high-side TDI single-channel gate driver IC for driving Infineon CoolGaN™ Schottky Gate HEMTs and other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with GaN SG HEMTs, including truly differential Input, four driving strength options, active Miller clamp, and bootstrap voltage clamp. Potential applications includes single channel: synchronous rectifier, class-E resonant wireless power, half-bridge (2 x 1EDN71x6U): DC-DC converter, BLDC/PMSM motor drive, class-D audio amplifier, class-D resonant wireless power.
• PG-TSNP-7-11 package type, junction temperature range from -40 to 150°C
• Optimized for driving GaN SG HEMTs and Si MOSFETs
• Fully differential logic input circuitry to avoid false triggering in low-side/high-side operation
• High common-mode input voltage range (CMR) up to ±200V for high side operation
• High immunity to common-mode voltage transitions for robust operation during fast switching
• Compatible with 3.3V or 5V input logic
• Active bootstrap clamp to avoid bootstrap capacitor overcharging during dead-time
• Active miller clamp with 5A sink capability to avoid induced turn-on
• Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
Gate Driver Type | - |
IC Case / Package | 0 |
Задержка Выхода | 55нс |
Задержка по Входу | 55нс |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальное Напряжение Питания | 11В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 4.2В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Тип входа | Logic |
Тип переключателя питания | GaN HEMT, MOSFET |
Ток истока | 2А |
Ток стока | 2А |
Fall Time | 20ns |
Output Current | 2 A |
Package Type | TSNP |
Pin Count | 7 |
Supply Voltage | 200V |
Похожие товары
![BSP772TXUMA1, Умный переключатель питания, технология SIPMOS, высокая сторона, 1 выход, 12А [SOIC-8]](/images/placeholder.jpg)
BSP772TXUMA1, Умный переключатель питания, технология SIPMOS, высокая сторона, 1 выход, 12А [SOIC-8]
Цена по запросу