Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

1N4448, Диод импульсный 100В 0.2А

Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, В 75 Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 5 Максимальное прямое напряжение,В 1 при Iпр.,А 0.1 Максимальное время обратного восстановления, нс 4 Общая емкость Сд,пФ 4 Рабочая температура,С -50…+175 Способ монтажа в отверстие Корпус DO-35 Вес, г 0.2 Diotec Semiconductor

Тип диода	стандартный
Максимальное обратное напряжение (Vr)	75В
Средний прямой ток (Io)	200мА
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1В при 100мА
Быстродействие	не нормируется, при токе =
Время восстановления (trr)	4нс
Ток утечки при Vr	25нА при 20В
Корпус	DO35
Вес брутто	0.12 г.
Наименование	1N4448
Производитель	Diotec Semiconductor
Описание Eng	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Тип упаковки	Amunition Pack (лента в коробке)
Нормоупаковка	5000 шт