Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

1N4448, Диод импульсный 75В 0.2А

Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 120 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.15 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.45 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 5 Максимальное прямое напряжение,В 1 при Iпр.,А 0.1 Максимальное время обратного восстановления,мкс 0.004 Рабочая температура,С -65…150 Способ монтажа в отверст. Корпус do35 Максимальное постоянное обратное напряжение, В 100 Galaxy Microelectronics Co.,Ltd

Тип диода	стандартный
Максимальное обратное напряжение (Vr)	75В
Средний прямой ток (Io)	200мА
Максимальное прямое напряжение (Vf) при токе If	1В при 100мА
Быстродействие	не нормируется, при токе =
Время восстановления (trr)	4нс
Ток утечки при Vr	25нА при 20В
Корпус	DO35
Вес брутто	0.4 г.
Наименование	1N4448
Производитель	Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Артикул производителя	1N4448
Примечание	Диод 75V 0.2A
Описание Eng	DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Тип упаковки	Amunition Pack (лента в коробке)
Нормоупаковка	5000 шт