Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
2N7000TA, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Advanced Power MOSFET, Fairchild Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 5 ом при 0.5а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.4
Корпус to92
Вес, г 0.3
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 200мА |
| Сопротивление открытого канала | 5 Ом |
| Мощность макс. | 400мВт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Входная емкость | 50пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO92/formed lead |
| Вес брутто | 0.3 г. |
| Наименование | 2N7000TA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92 |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
