Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
2N7002-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; униполярный; 60 В; 0,115 А; 0,2 Вт; SOT23
Цена по запросу

2N7002-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET; униполярный; 60 В; 0,115 А; 0,2 Вт; SOT23

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 7500 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) 0.8
Minimum Gate Threshold Voltage (V) 1
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Typical Gate Plateau Voltage (V) 4
Typical Gate Threshold Voltage (V) 2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 22 25V
Typical Output Capacitance (pF) 11
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 2 25V
Case SOT23
Drain current 0.115A
Drain-source voltage 60V
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer VISHAY
On-state resistance 7.5Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.2W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 0.02

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных