Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
2N7002BKS.115
Транзисторы и сборки MOSFETМОП-транзистор Dual N-Channel 60V 300mA
| Корпус | TSSOP6 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Id - непрерывный ток утечки | 350 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 440 mW |
| Qg - заряд затвора | 0.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 6 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | 934064284115 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 550 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Brand | Nexperia |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 550 mS |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Manufacturer | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | TSSOP-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 0.34 W |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 0.5 nC |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| Rise Time | 6 ns |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Maximum Power Dissipation | 445 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.35mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 295mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Вес, г | 0.09 |
