Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
2N7002BKV,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовСборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт
Корпус | SOT666 |
Continuous Drain Current (Id) | 340mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V, 500mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 350mW |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@10V |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
Type | 2 N-Channel |
Вес, г | 0.03 |