Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
2N7002LT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.115
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7.5 ом при 0.5а, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 80
Корпус sot23
Пороговое напряжение на затворе 3.75
Вес, г 0.05
ON Semiconductor
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 115мА |
| Сопротивление открытого канала | 7.5 Ом |
| Мощность макс. | 225мВт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Входная емкость | 50пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT23-3 |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | 2N7002LT1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23, 0.3W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
