Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

2PA1774QM,315

Semiconductors\Discrete Semiconductors

Brand	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	120 at 1 mA, 6 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	10000
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
Manufacturer	Nexperia
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	DFN1006-3
Part # Aliases	934057143315
Pd - Power Dissipation	430 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Qualification	AEC-Q101
Subcategory	Transistors
Technology	Si
Transistor Polarity	PNP
Collector Emitter Voltage Max	40В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	120hFE
DC Усиление Тока hFE	120hFE
Power Dissipation	430мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	2PA1774M
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	DFN1006
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	100МГц