Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

2SA1832-GR,LF, Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

Pd - рассеивание мощности	100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	70 at - 2 mA, - 6 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400 at - 2 mA, - 6 V
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SA1832
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-426-3