Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

2SC4081T106Q, NPN 50V 0.15A SOT-323

Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A SOT-323

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.8 mm
Длина	2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.15 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	0.15 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SC4081
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.25 mm
Base Product Number	2SC4081 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	180MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	UMT3
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	150mA
Pd - Power Dissipation	200mW