Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

2SC4725TLP, NPN 20V 50MA

Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT NPN 20V 50MA

Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.7 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	82
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	180
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.05 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	3 V
Непрерывный коллекторный ток	50 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	1.5 GHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SC4725
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-416-3
Ширина	0.8 mm
Collector Emitter Voltage Max	20В
Continuous Collector Current	50мА
DC Current Gain hFE Min	82hFE
DC Ток Коллектора	50мА
DC Усиление Тока hFE	82hFE
Power Dissipation	150мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора	SOT-416
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	20В
Рассеиваемая Мощность	150мВт
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-416
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	1.5ГГц