Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
2SD2012, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3 А, 25 Вт
Характеристики
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 25
Корпус to220fp
Toshiba Semiconductor
Тип транзистора | NPN |
Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 60 В |
Ток коллектора Макс. | 3 А |
Мощность Макс. | 25 Вт |
Корпус | TO-220F |
Вес брутто | 1.72 г. |
Наименование | 2SD2012 |
Производитель | Toshiba Semiconductor |
Описание Eng | Bipolar transistor, NPN, 60 V, 3 A, 25 W |
Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
Нормоупаковка | 50 шт |