Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
2SD2704KT146, TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30Vebo; 0.3A
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN;30Vebo;0.3A
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SD2704K |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 820 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 25 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 35 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SD2704K |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | EMT-3 |
| Collector Current (Ic) | 300mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@30mA, 3mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 820@4ma, 2V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 35MHz |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
