Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

2SK3065T100

Транзисторы и сборки MOSFET Описание Транзистор: NPN

Корпус	sot89
кол-во в упаковке	1000
Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	2 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	350 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	50 ns
Время спада	70 ns
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	120 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.5 mm
Brand	ROHM Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	1000
Fall Time	70 ns
Height	1.5 mm
Id - Continuous Drain Current	2 A
Length	4.5 mm
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	SOT-89-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	2 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	350 mOhms
Rise Time	50 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	2.5 mm
Вес, г	0.139