Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![AD822BRZ-REEL7, Операционный усилитель с однополярным питанием, с полевыми транзисторами на входе [SO-8]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
AD822BRZ-REEL7, Операционный усилитель с однополярным питанием, с полевыми транзисторами на входе [SO-8]
AD822 is a dual precision, low power FET input op amp. It can operate from a single supply of 5V to 30V or from dual supplies of ±2.5V to ±15V. It has true single-supply capability with an input voltage range extending below the negative rail, allowing the opamp to accommodate input signals below ground while in the single-supply mode. Output voltage swing extends to within 10mV of each rail, providing the maximum output dynamic range. It is mainly used in application such as battery-powered precision instrumentation, photodiode preamps, active filters, 12-bit to 14-bit data acquisition systems, medical instrumentation, low power references and regulators etc.
• High load drive, capacitive load drive of 350pF, G = +1
• Minimum output current is 15mA
• Excellent ac performance for low power
• Maximum quiescent current per amplifier is 1.24mA typ at VS = 0V, 5V at TA = 25°C
• Unity-gain bandwidth is 1.8MHz, no phase inversion
• Slew rate is 3V/µs, low noise is 13nV/√Hz at 10kHz
• Good dc performance, maximum input offset voltage is 0.4mV
• Offset voltage drift is 2µV/°C typ, maximum input bias current is 10pA
• Operating temperature range is -40°C to +85°C
• Packaging style is 8-lead SOIC
• N
Тип усилителя | Общего применения |
Кол-во каналов | 2 |
Тип выхода | Rail-to-Rail |
Скорость нарастания выходного сигнала, В/мкс | 3 |
Частота единичного усиления, МГц | 1.9 |
Полоса пропускания -3 дБ, МГц | 1.9 |
Токовое смещение на входе, нА | 0.002 |
Напряжение смещения на входе, мкВ | 300 |
Ток собственного потребления, мА | 1.4 |
Выходной ток на канал, мА | 20 |
Напряжение питания однополярное(+)/двуполярное (±), В | +5…30, ±2.5…15 |
Рабочая температура, °C | -40…+85 |
Корпус | SOIC-8(0.154 inch) |
Вес, г | 0.15 |