Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES

Pd - рассеивание мощности	270 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	AIGW50N65F5 SP001346882
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.66 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 F5
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.66В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	270Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Монтаж транзистора	Through Hole
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1