Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
AO4407A, Транзистор МОП р-канальный, полевой, -30В, -10А, 2Вт, SO8
Описание Транзистор полевой AO4407A производства компании ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным N-MOSFET компонентом, предназначенным для монтажа на поверхность платы (SMD). Этот транзистор обладает током стока 10 А и напряжением сток-исток 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений. С мощностью 2 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,013 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и производительность в компактном корпусе SO8. Идеален для использования в силовой электронике, управлении мощными нагрузками и других применениях, требующих надежного управления током. Компонент AO4407A от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR – ваш выбор для надежных и долговечных электронных схем. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
SMD
Ток стока, А
10
Напряжение сток-исток, В
30
Мощность, Вт
2
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.013
Корпус
SO8
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 10 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 2 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.013 |
| Корпус | SO8 |
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 11 20V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Pin Count | 8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Fall Time (ns) | 12 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 30 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2060 15V |
| Typical Rise Time (ns) | 9.4 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Continuous Drain Current | 12(A) |
| Drain Current (Max) | 12 A |
| Drain Efficiency | Not Required% |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Frequency (Max) | Not Required MHz |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±25(V) |
| Noise Figure | Not Required dB |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power (Max) | Not Required W |
| Package Type | SOIC |
| Polarity | P |
| Power Dissipation | 3.1(W) |
| Power Gain | Not Required dB |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.13 |
