Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
AONR21357, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -32,5А, 12Вт, DFN3x3
Транзисторы30V 7.8mΩ@10V,20A 2.3V@250uA P Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS
| Continuous Drain Current (Id) | 21A;34A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.8mΩ@10V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.83nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 5W;30W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.06 |
