Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
AUIRF7103QTR, Микросхема
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.13 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.5 |
