Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
AUIRLR014N, Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А
Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура n-канал
Корпус dpak
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.14 ом при 6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 28
Крутизна характеристики, S 3.1
Особенности Автомобильные Приложения
Пороговое напряжение на затворе 1…3
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 10A |
| Сопротивление открытого канала | 140 мОм |
| Мощность макс. | 28Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Заряд затвора | 7.9нКл |
| Входная емкость | 265пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Наименование | AUIRLR014N |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 75 шт. |
