Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BC807K-40R
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Collector Emitter Voltage Max | 45В |
Continuous Collector Current | 500мА |
DC Current Gain hFE Min | 250hFE |
DC Усиление Тока hFE | 250hFE |
Power Dissipation | 350мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BC807K |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 80МГц |
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 250@100mA, 1V |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 80MHz |