Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

BC846A,215

Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	933589550215
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	BC846 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	110 @ 2mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	100MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	250mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-236AB
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	65V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	250mW
кол-во в упаковке	3000
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	250 mW
Minimum DC Current Gain	110
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single