Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BC846BDW1T1G, Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А, 0.38W
The BC846BDW1T1G is a NPN dual Transistor, designed for general purpose amplifier applications. Ideal for low power surface mount applications.
• AEC-Q101 Qualified
• PPAP capable
• Halogen-free
Структура 2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус sot-363 / sc-88
Вес, г 0.04
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
| Тип транзисторной сборки | 2 NPN |
| Напряжение колл.-эмитт. Макс | 65 В |
| Ток коллектора Макс. | 100 мА |
| Мощность Макс. | 380 мВт |
| Коэффициент усиления hFE Мин. | 200 |
| Корпус | SOT363-6 |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | BC846BDW1T1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | NPN 65V 0.1A Automotive |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
