Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BC846BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
The BC846BLT1G is a 65V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.
• Halogen-free/BFR-free
• ESD rating - >4000V human body model, >400V machine model
• 80V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Вес, г 0.08
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
| Тип транзистора | NPN |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 65 В |
| Ток коллектора Макс. | 100 мА |
| Мощность Макс. | 300 мВт |
| Коэффициент усиления hFE | 200 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Граничная частота | 100 МГц |
| Корпус | SOT-23 |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | BC846BLT1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | NPN 65V 0.1A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
