Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BC846BPN,115
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 65В, 0,1А Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
NPN
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Base Product Number | BC846 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 300mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
