Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BC846DS,115, Bipolar Transistors - BJT BC846DS/SOT457/SC-74
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.1 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SC-74-6 |
Ширина | 1.7 mm |
Base Product Number | BC846 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Power - Max | 250mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 250mW |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |