Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BC847AW,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Биполярный транзистор BC847AW производства компании NEXPERIA предназначен для использования в современных электронных устройствах. Этот компонент обладает высокой надежностью и длительным сроком службы. Монтаж транзистора выполнен в SMD-формате, что позволяет легко интегрировать его в печатные платы с поверхностным монтажом. Коллекторный ток достигает 0,2 А, а напряжение коллектор-эмиттер составляет 45 В, что говорит о хорошей производительности устройства. Мощность транзистора ограничена 0,2 Вт, что делает его идеальным выбором для низковольтных применений. Входящий в состав транзистор типа NPN, помещен в компактный корпус SOT323, обеспечивающий простую установку и минимальное занимаемое пространство на плате. Это делает BC847AW,115 идеальным решением для массового производства и DIY-проектов. Код товара для заказа: BC847AW115. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.2 Корпус SOT323

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Монтаж	SMD
Ток коллектора, А	0.2
Напряжение коллектор-эмиттер, В	45
Мощность, Вт	0.2
Корпус	SOT323
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Другие названия товара №	934021760115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	110
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323(SC-70)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN