Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BC857BLT1G, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.225 Вт
The BC857BLT1G is a -45V PNP silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
• Halogen-free/BFR-free
• -50V Collector to base voltage (VCBO)
• -5V Emitter to base voltage (VEBO)
• -200mADC Peak collector current
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 220…475
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Вес, г 0.05
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
| Тип транзистора | PNP |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 45 В |
| Ток коллектора Макс. | 100 мА |
| Мощность Макс. | 300 мВт |
| Коэффициент усиления hFE | 220 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Граничная частота | 100 МГц |
| Корпус | SOT-23 |
| Вес брутто | 0.03 г. |
| Наименование | BC857BLT1G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | PNP 45V 0.1A, 0.225W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
