Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BCM847DS,115, Bipolar Transistors - BJT BCM847DS/SOT457/SC-74
Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR
Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.1 mm |
Другие названия товара № | 934059058135 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA, 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | TSOP-6 |
Ширина | 1.7 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 200 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-457(SC-74) |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Current Mirror |
Transistor Type | NPN |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.2@0.5mA@10mA|0.4@5mA@100mA V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -65 to 150 ?C |
Package | 6TSOP |
Packaging | Tape & Reel |
Rad Hard | No |
Type | NPN |
Collector Current (Ic) | 100mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@100mA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@2mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 380mW |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Case | SC74, SOT457, TSOP6 |
Collector current | 0.1A |
Collector-emitter voltage | 45V |
Current gain | 200…450 |
Frequency | 250MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | NEXPERIA |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 0.38W |
Type of transistor | NPN x2 |