Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

BCM857DS,115

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: PNP x2

Pd - рассеивание мощности	380 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.1 mm
Другие названия товара №	BCM857DS T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200 at 2 mA at 5 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200 at 2 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	175 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-457-6
Ширина	1.7 mm
Maximum Collector Base Voltage	-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	380 mW
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-457(SC-74)
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Type	PNP