Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BCP53-10,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 1Вт, SOT223 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
PNP
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.7 mm (Max) |
Длина | 6.7 mm (Max) |
Другие названия товара № | BCP53-10 T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm (Max) |
Base Product Number | BCP53 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 145MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 1W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 63hFE |
DC Усиление Тока hFE | 63hFE |
Power Dissipation | 650мВт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | BCP53 |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 145МГц |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 145 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum DC Current Gain | 63 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |