Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BCP53-16,115

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 1,35Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	933917350115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	145 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	BCP53 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	145MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Hfe при напряжении к-э, В	2
Hfe при токе коллектора, А	0.15
Диапазон рабочих температур, оС	-65…150
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	53
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	145 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum DC Current Gain	63
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Вес брутто	0.2
Коэффициент усиления hFE мин.	100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	1
Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В	80
Максимальный постоянный ток коллектора, А	1
Тип проводимости	PNP
Упаковка	1000