Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BCP55-16,115, Bipolar Transistors - BJT BCP55-16/SOT223/SC-73

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1,35Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Pd - рассеивание мощности	960 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	BCP55-16 T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	BCP55 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	180MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1.35W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	60V
Maximum DC Collector Current	1A
Pd - Power Dissipation	1.35W