Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BCP56-10,115, Bipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Pd - рассеивание мощности	960 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	933917250115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63 at 150 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	63 at 150 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCP56
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	180 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	960 mW
Minimum DC Current Gain	63
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-223(SC-73)
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN