Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BCP56-16T1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 1.3 Вт
NPN Bipolar Transistor, hFE 100 to 250
Корпус SOT-223, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…250
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 130
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 1,5
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
ON Semiconductor
Тип транзистора | NPN |
Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 80 В |
Ток коллектора Макс. | 1 А |
Мощность Макс. | 1.5 Вт |
Коэффициент усиления hFE | 100 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Граничная частота | 130 МГц |
Корпус | SOT-223 |
Вес брутто | 0.21 г. |
Наименование | BCP56-16T1G |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | NPN 80V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 1000 шт |