Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BCP68-25,115, Bipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: NPN; биполярный; 20В; 2А; 1,35Вт; SOT223 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
биполярный
Вид
NPN
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 1400 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.7 mm |
Длина | 6.7 mm |
Другие названия товара № | BCP68-25 T/R |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 500 mA at 1 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 500 mA at 1 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 170 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Base Product Number | BCP68 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 500mA, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 170MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 650mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 200mA, 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
Continuous Collector Current | 1А |
DC Current Gain hFE Min | 160hFE |
DC Усиление Тока hFE | 160hFE |
Power Dissipation | 625мВт |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 170МГц |
Maximum Collector Base Voltage | 32 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 170 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
Minimum DC Current Gain | 50 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 4 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |