Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BCP69-16,115, Bipolar Transistors - BJT TRANS BIPOLAR

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: PNP, биполярный, 20В, 2А, 1,35Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP
Pd - рассеивание мощности	1400 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	934009430115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-223-3
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	BCP69 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 1V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	140MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1.4W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Collector Emitter Voltage Max	20В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	100hFE
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Power Dissipation	625мВт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Частота Перехода ft	140МГц