Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

BCV62C,215, Bipolar Transistors - BJT BCV62C/SOT143/SOT4

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор PNP x2, биполярный, 30В, 100мА, 250мВт, SOT143B Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0,65 В
Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальная рабочая частота	100 МГц
Количество элементов на ИС	2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер	0,85 В
Длина	3мм
Максимальное напряжение коллектор-база	30 V
Transistor Configuration	Токовое зеркало
Производитель	Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)	30 V
Тип корпуса	SOT-143B
Максимальное рассеяние мощности	250 мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура	-65 °C
Ширина	1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора	100 mA
Тип транзистора	PNP
Высота	1мм
Число контактов	4
Размеры	1 x 3 x 1.4мм
Максимальное напряжение эмиттер-база	6 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току	100
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	933792150215
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Dual
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-143B-4
Collector-Emitter Breakdown Voltage	30V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	250mW
Transistor Type	2 PNPпј€Doubleпј‰Current Mirror
Transistor Polarity	PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo