Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BCW67CE6327HTSA1, Биполярный транзистор
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.7 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 200 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 V
Длина 2.9мм
Максимальное напряжение коллектор-база 45 В
Transistor Configuration Одинарный
Производитель Infineon
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 32 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 330 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 1.3мм
Максимальный пост. ток коллектора 800 мА
Тип транзистора PNP
Высота 0.9мм
Число контактов 3
Размеры 2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 80
Вес, г 0.05
Полезная информация
* ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Тип транзистора | PNP |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 32 В |
| Ток коллектора Макс. | 0.8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус | SOT23-3 |
| Вес брутто | 0.05 г. |
| Наименование | BCW67CE6327HTSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Trans GP BJT PNP 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Нормоупаковка | 3000 шт. |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
