Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

BCX55TF, Bipolar Transistors - BJT BCX55T/SOT89/MPT3

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

BCX55TF, Bipolar Transistors - BJT BCX55T/SOT89/MPT3

Semiconductors\Discrete SemiconductorsБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR

Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	934661335135
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	63 at 5 mA, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250 at 150 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	155 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-89-3
Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	63hFE
DC Усиление Тока hFE	63hFE
Power Dissipation	500мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BCX55T
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SC-62
Частота Перехода ft	155МГц
Collector Current (Ic)	1A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@500mA, 50mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	63@150mA, 2V
Power Dissipation (Pd)	500mW
Transistor Type	NPN
Transition Frequency (fT)	155MHz