Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BCX56,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 500мВт, SOT89
Pd - рассеивание мощности | 1250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.6 mm |
Длина | 4.6 mm |
Другие названия товара № | 933272330115 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 5 mA, 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.6 mm |
Base Product Number | BCX56 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 180MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-243AA |
Power - Max | 1.25W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-89 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Рабочая температура | - 65 C + 150 C |
кол-во в упаковке | 1000 |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.35 W |
Minimum DC Current Gain | 63 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |