Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
BD241C, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 40 Вт
The BD241C is a 100V Silicon NPN Complementary Power Transistor manufactured in planar technology with base island layout. The transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability
• Collector-base voltage (Vcbo = 100V)
• Emitter-base voltage (Vcbo = 5V)
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 115
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-220
Вес, г 2.5
Полезная информация
* Биполярные транзисторы большой мощности
ST Microelectronics
Тип транзистора | NPN |
Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 100 В |
Ток коллектора Макс. | 3 А |
Мощность Макс. | 40 Вт |
Коэффициент усиления hFE | 10 |
Тип монтажа | Сквозной |
Корпус | TO-220 |
Вес брутто | 2.7 г. |
Наименование | BD241C |
Производитель | ST Microelectronics |
Описание Eng | NPN 100V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |