Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![BF998, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
BF998, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 12В 30мА 200мВт 1ГГц Tch=150°C
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single Dual Gate |
Factory Pack Quantity | 9000 |
Height | 1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 30 mA |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-143 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | BF998E6327HTSA1 BF998E6327XT SP000010978 |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Product Category | RF MOSFET Transistors |
RoHS | Details |
Series | BF998 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Type | RF Small Signal MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V to 12 V |
Width | 1.3 mm |
Вес, г | 10 |