Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
BFR193E6327, Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц
Цена по запросу

BFR193E6327, Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц

RF Bipolar Transistors, Infineon Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 12 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.08 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 8000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.58 Корпус sot-23 Вес, г 0.05 Полезная информация * ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ И СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ Infineon Technologies
Тип транзистора NPN
Напряжение КЭ Макс. 12В
Ток коллектора Макс. 80мА
Мощность Макс. 0.58Вт
Граничная частота 8ГГц
Корпус SOT-23
Вес брутто 0.05 г.
Наименование BFR193E6327
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng NPN СВЧ 8ГГц 12В/80мА/0.58 Вт
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 3000 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных